27번에서 면전하밀도(로우에스) = 진공유전율(입실론제로) * 전계(E) 식을 이용해 풀었지만 이 식은 구도체에서만 적용되는것 같은데 왜 이 식을 이용하는지 모르겠습니다. 문제에 자유 공간층에서 점 P(5,-2,4)가 도체면상에 있다는게 구도체를 의미하는건가요?

31번에서도  면전하밀도(로우에스) = 진공유전율(입실론제로) * 전계(E) 식을 이용해 풀어주셨는데 문제에는 구도체가 아니라 평행판이라고 되어있는데 왜 저 식을 이용하는지 잘 모르겠습니다. 혹시 면전하밀도는 항상 유전율(입실론)*전계(E)인데 비유전율이 주어지지 않을때는 그냥 면전하밀도 = 진공유전율*전계로 풀이가 가능한건가요